太陽電池の９５％以上はＳｉで形成されているが、Ｓｉは禁制帯幅が1.1ｅＶ（理想値1.4ｅＶ）と小さいために効率が悪く、また光吸収係数も小さいために１００μｍを超える膜厚が必要で、太陽電池の100μｍ以下の薄型化には不向きである。したがって高効率薄膜太陽電池材料は、化合物半導体の独断場となり、実用上重要なＳｉ系では適当な材料がなかった。

本発明では、光吸収係数がSiの100倍と大きく、すなわち100分の1の少量のＳｉで、遙かに高効率の薄膜太陽電池を作成する技術を提供する。