半導体装置およびその製造方法

特願2007-186334

　　量子ドット層の積層数の増加に伴う量子ドットの形状劣化や配列の乱れを抑制して、量子ドット層の高密度化を図ることを課題とする。

　半導体装置は、化合物半導体基板１と、この基盤１上に設けられた多層構造物６とを具備してなる。多層構造物6は、基盤1よりも格子定数の大きい化合物半導体材料からなる量子ドット層２と基盤1よりも格子定数の小さい化合物半導体材料からなる中間層３とを、この中間層3に生じる応力と量子ドット層に生じる応力とが互いに相殺しあうように交互に積層して構成されている。

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