筑波大学の出願特許の紹介
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フォトレジスト除去方法 特願2007-154758
基板表面に残存付着するフェノール樹脂から成るレジストを、基板事態に損傷を与えることなく、速い剥離速度で効果的に剥離する方法を提供する。ノボラック樹脂系フォトレジストが残存付着している基板の表面に、高濃度オゾン水を注入するとともに、紫外光(例えば、エキシマーレーザ光)を照射することによって、紫外光が、高濃度オゾン水のオゾンの一部からOHラジカルを生成し、この生成されたOHラジカルが、フォトレジストをポリフェノール化し、ポリフェノール化されたフォトレジストを高濃度オゾン水の残存オゾンが反応して断片化し、基板表面から剥離する。
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