荷電制御強磁性半導体

特願2005-076104

【課題】
　室温以上の温度で強磁性転移を示し、その強磁性−常磁性間の転移を外部電界などのパラメーターで制御できる荷電制御強磁性半導体を実現する。

【解決手段】
　GaAsで形成された基盤上に、�U−�Y族半導体であるZnTeにCrを添加した半導体であり、Cr組成５％の結晶で、ドーパントを同時に添加して成る薄膜を、分子線エピタキシー法により、結晶成長させて荷電制御強磁性半導体を製造し、添加するドーパントがｐ型の場合には、強磁性転移温度は低下し、逆にｎ型の場合には強磁性転移温度は上昇し、Cr組成を一定にしたまま、添加したドーパントの型および濃度により強磁性転移温度を変化させることが可能である。

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