半導体装置およびその製造方法

特願2001-397796

　量子ドット層の積層数の増加にともなう量子ドットの形状劣化や配列の乱れを抑制して、量子ドット層の高密度化を図ることを課題とする。
　 量子ドットレーザの製造方法において、ＩｎＰ（３１１）Ｂ基盤１の表面１ａに原子状水素を放射して清浄化する。続けて表面１ａに原子状水素を供給しつつ、ガス状のＩｎおよびＡｓを用いてＭＢＥ法を実行し、基盤１のＰを蒸発させて雰囲気中のＡｓと置換させ、基盤１よりも格子定数が大きい第１層目のＩｎＡｓｘＰ１−ｘ量子ドット層２ａを基盤１上にエピタキシャル成長させる。このドット層２ａ上にＩｎ0.52Ｇａ0.1Ａ10.38Ａｓバッファ層４を成長させた後、ドット層２ａ、２ｂの合計が２０層に達するまで、格子定数が基盤１よりも大きいＩｎＡｓ量子ドット層２ｂと格子定数が基盤１よりも小さいＩｎ0.47Ｇａ0.11Ａ10.42Ａｓ中間層３とを、交互に連続成長させて積層する。